Pure FlashArray//C是第一个全qlc闪存阵列,提供NVMe性能、超整合和面向容量的工作负载的简化管理。
从入门级到企业应用程序,使用您最关键的数据加速业务结果。FlashArray//X为Tier 0和Tier 1工作负载提供了现代体验。
FlashStack™结合了计算、网络和存储,为关键业务应用程序、DevOps和分析提供了一个现代基础设施平台。据IDC计算,企业在五年内可以实现431%的投资回报率。
PORTWORX by 爱游戏ayx双赢彩票Pure Storage为持久存储,数据保护,灾难恢复,数据安全,跨云和数据迁移以及在Kubernetes上运行的应用程序的自动容量管理提供了完全集成的解决方案。
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四级单元(QLC)Flash是一个容量优化的NAND内存技术,可提供匹配或击败硬盘驱动器(HDD)的每rabyte成本。据姓名建议,QLC每块单元格存储四位,具有更高容量的NVME性能。
QLC闪存是在NAND闪存设备中压缩更多位元的长期趋势中的最新产品。以下是该技术如何随着时间的推移而发展的简要概述:
可以看出,可能的电压状态的数量使得存储在NAND小区内的每个附加位。随着您可以在单个单元格中拟合的比特数,存在容量和复杂性之间存在固有的权衡。
需要更大的电气精度来解释在读/写期间管理多个电压状态的添加复杂性。在实践中,这可以转化为NAND设备的性能和寿命的降低。
NAND耐久性在程序/擦除(P / E)循环中测量。到目前为止,制造商已经能够生产QLC闪存,具有1000平方英尺的循环,这比SLC闪存(100,000个P / E循环)的可能性少于可能的级。
然而,性能和耐力是相对的。Flash的性能仍然比hdd高几个数量级,并且有一些解决QLC持久性限制的方法(例如,使用SLC Flash作为缓存)。TLC最初出现时,这种权衡阻碍了TLC的采用,但随着时间的推移,技术不断改进,今天大多数企业闪存阵列使用TLC NAND提供高性能、可靠性和速度。随着QLC闪存的出现,现在可以享受全闪存存储的速度,但每容量的成本可以与HDD存储阵列相匹配或击败。
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QLC闪存的常见好处包括:
爱游戏ayx双赢彩票PureStorage®Fasharray// C不使用像其他存储供应商那样的Flash SSD模块。纯粹的DirectFlash®模块允许原始闪存通过NVME直接连接,从而减少延迟和增加吞吐量。这允许FlashArray // C最大化其QLC闪存模块的性能,同时仍提供与混合和HDD存储阵列相当的每容量成本。
使用FlashArray//C来满足您的存储需求的其他好处包括:
NVME性能以较低的成本与业界的首选All-QLC企业存储阵列