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QLC Flash:当对速度的需求满足每容量的最佳成本时

QLC Flash:当对速度的需求满足每容量的最佳成本时

QLC Flash是什么?

四级单元(QLC)Flash是一个容量优化的NAND内存技术,可提供匹配或击败硬盘驱动器(HDD)的每rabyte成本。据姓名建议,QLC每块单元格存储四位,具有更高容量的NVME性能。

QLC与SLC与MLC与TLC vs.MLC

QLC闪存是在NAND闪存设备中压缩更多位元的长期趋势中的最新产品。以下是该技术如何随着时间的推移而发展的简要概述:

  • 单级单元(SLC)闪光:每个单元一位,两个可能的电压状态
  • 多电平单元(MLC)闪光:每个单元两个比特,四种可能的电压状态
  • 三级小区(TLC)闪光:每电池三位,八个可能的电压状态
  • 四级小区(QLC)闪光:每个单元4位,16个可能的电压状态

可以看出,可能的电压状态的数量使得存储在NAND小区内的每个附加位。随着您可以在单个单元格中拟合的比特数,存在容量和复杂性之间存在固有的权衡。

需要更大的电气精度来解释在读/写期间管理多个电压状态的添加复杂性。在实践中,这可以转化为NAND设备的性能和寿命的降低。

NAND耐久性在程序/擦除(P / E)循环中测量。到目前为止,制造商已经能够生产QLC闪存,具有1000平方英尺的循环,这比SLC闪存(100,000个P / E循环)的可能性少于可能的级。

然而,性能和耐力是相对的。Flash的性能仍然比hdd高几个数量级,并且有一些解决QLC持久性限制的方法(例如,使用SLC Flash作为缓存)。TLC最初出现时,这种权衡阻碍了TLC的采用,但随着时间的推移,技术不断改进,今天大多数企业闪存阵列使用TLC NAND提供高性能、可靠性和速度。随着QLC闪存的出现,现在可以享受全闪存存储的速度,但每容量的成本可以与HDD存储阵列相匹配或击败。

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QLC Flash的好处

QLC闪存的常见好处包括:

  • 用于以可读工作负载的总体所有权(TCO)较低
  • 减少数据中心的占用
  • 随着全闪存的速度,容量呈指数级增长

QLC Flash为什爱游戏ayx双赢彩票么选择纯存储?

爱游戏ayx双赢彩票PureStorage®Fasharray// C不使用像其他存储供应商那样的Flash SSD模块。纯粹的DirectFlash®模块允许原始闪存通过NVME直接连接,从而减少延迟和增加吞吐量。这允许FlashArray // C最大化其QLC闪存模块的性能,同时仍提供与混合和HDD存储阵列相当的每容量成本。

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NVME性能以较低的成本与业界的首选All-QLC企业存储阵列

800-379-7873 +44 20 3870 2633 43 + 720882474 +32 (0) 7 84 80 560 +33 9 75 18 86 78 +49 89 12089 253 +353 1 485 4307 +39 02 9475 9422 +31 (0) 20 201 49 65 + 46-101 38 93 22 + 45 2856 6610 + 47 2195 4481 +351 210 006 108 +966112118066 +27 87551 7857 +34 51 889 8963 +41 31 52 80 624 +90 850 390 21 64 +971 4 5513176 +7 916 716 7308 +65 3158 0960 + 603 2298 7123 +66(0)2624 0641 +84 43267 3630. + 62 21235 84628 + 852 3750 7835 +82 2 6001-3330 +886 2 8729 2111 +61 1800 983 289 +64 21 536 736 55 + 11 2655 - 7370 +52 55 9171-1375 +56 2 2368-4581 +57 1 383-2387