纯FlashArray // C是第一个提供NVME性能,超整合和简化管理的全All-QLC闪存存储阵列,可实现可容纳的工作负载。
从入门级到企业应用程序,使用最关键的数据加速业务结果。FlashArray // X为Tier 0和Tier 1工作负载提供现代体验。
FlashStack™将Compute,Network和Storage组合,为业务关键的应用程序,DevOps和Analytics提供现代基础架构平台。IDC计算组织可以在五年内实现431%的投资回报率。
将存储作为内部部署和公共云的服务(STAAS)。通过使用一个订阅和一组存储服务统一环境,有效地操作混合云。
PORTWORX by 爱游戏ayx双赢彩票Pure Storage为持久存储,数据保护,灾难恢复,数据安全,跨云和数据迁移以及在Kubernetes上运行的应用程序的自动容量管理提供了完全集成的解决方案。
忘记昂贵的升级周期,破坏性停机时间,以及您已经拥有的TBS的重建。Evergreen Storage™订阅模式提供无缝,快速升级和扩展,而不会中断。
将存储作为内部部署和公共云的服务(STAAS)。通过使用一个订阅和一组存储服务统一环境,有效地操作混合云。
PORTWORX by 爱游戏ayx双赢彩票Pure Storage为持久存储,数据保护,灾难恢复,数据安全,跨云和数据迁移以及在Kubernetes上运行的应用程序的自动容量管理提供了完全集成的解决方案。
四级单元(QLC)Flash是一个容量优化的NAND内存技术,可提供匹配或击败硬盘驱动器(HDD)的每rabyte成本。据姓名建议,QLC每块单元格存储四位,具有更高容量的NVME性能。
QLC Flash是NAND闪存设备中每个单元格挤压更多位的最新趋势。以下是技术如何随着时间而发展的简要概述:
可以看出,可能的电压状态的数量使得存储在NAND小区内的每个附加位。随着您可以在单个单元格中拟合的比特数,存在容量和复杂性之间存在固有的权衡。
需要更大的电气精度来解释在读/写期间管理多个电压状态的添加复杂性。在实践中,这可以转化为NAND设备的性能和寿命的降低。
NAND耐久性在程序/擦除(P / E)循环中测量。到目前为止,制造商已经能够生产QLC闪存,具有1000平方英尺的循环,这比SLC闪存(100,000个P / E循环)的可能性少于可能的级。
但是,性能和耐力是相对的。Flash仍然比HDD更令人表现的数量级,并且存在围绕QLC的耐久限制(例如,使用SLC闪存作为缓存)的工作。同样的权衡减缓了他们首次出现的TLC时,但该技术随着时间的推移而改善,而今天大多数企业闪存存储阵列提供高性能,可靠性和TLC NAND的速度。随着QLC Flash的出现,现在可以以每容量匹配或击败HDD存储阵列的成本享受全闪存存储的速度。
QLC闪存的共同效益包括:
爱游戏ayx双赢彩票PureStorage®Fasharray// C不使用像其他存储供应商那样的Flash SSD模块。纯粹的DirectFlash®模块允许原始闪存通过NVME直接连接,从而减少延迟和增加吞吐量。这允许FlashArray // C最大化其QLC闪存模块的性能,同时仍提供与混合和HDD存储阵列相当的每容量成本。
使用FlashArray // C进行存储需求的其他特权包括:
NVME性能以较低的成本与业界的首选All-QLC企业存储阵列