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QLC Flash:当需要速度满足每个容量的最佳成本

QLC Flash:当需要速度满足每个容量的最佳成本

什么是QLC闪存?

四级单元(QLC)Flash是一个容量优化的NAND内存技术,可提供匹配或击败硬盘驱动器(HDD)的每rabyte成本。据姓名建议,QLC每块单元格存储四位,具有更高容量的NVME性能。

QLC与SLC与MLC与TLC vs.MLC

QLC Flash是NAND闪存设备中每个单元格挤压更多位的最新趋势。以下是技术如何随着时间而发展的简要概述:

  • 单级单元(SLC)闪光:每个单元一位,两个可能的电压状态
  • 多级单元(MLC)Flash:每个单元2位,四个可能的电压状态
  • 三级小区(TLC)闪光:每电池三位,八个可能的电压状态
  • 四级小区(QLC)闪光:每个单元4位,16个可能的电压状态

可以看出,可能的电压状态的数量使得存储在NAND小区内的每个附加位。随着您可以在单个单元格中拟合的比特数,存在容量和复杂性之间存在固有的权衡。

需要更大的电气精度来解释在读/写期间管理多个电压状态的添加复杂性。在实践中,这可以转化为NAND设备的性能和寿命的降低。

NAND耐久性在程序/擦除(P / E)循环中测量。到目前为止,制造商已经能够生产QLC闪存,具有1000平方英尺的循环,这比SLC闪存(100,000个P / E循环)的可能性少于可能的级。

但是,性能和耐力是相对的。Flash仍然比HDD更令人表现的数量级,并且存在围绕QLC的耐久限制(例如,使用SLC闪存作为缓存)的工作。同样的权衡减缓了他们首次出现的TLC时,但该技术随着时间的推移而改善,而今天大多数企业闪存存储阵列提供高性能,可靠性和TLC NAND的速度。随着QLC Flash的出现,现在可以以每容量匹配或击败HDD存储阵列的成本享受全闪存存储的速度。

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QLC闪光的好处

QLC闪存的共同效益包括:

  • 用于以可读工作负载的总体所有权(TCO)较低
  • 减少的数据中心足迹
  • 具有全闪光速度的能力的指数增加

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800-379-7873 +44 20 3870 2633 +43 720882474 +32(0)7 84 80 560 +33 9 75 18 86 78 +49 89 12089 253 +353 1 485 4307 +39 02 9475 9422 +31(0)20 201 49 65 + 46-101 38 93 22 +45 2856 6610 +47 2195 4481. +351 210 006 108 +966112118066 +27 87551 7857 +34 51 889 8963 +41 31 52 80 624 +90 850 390 21 64 +971 4 5513176 +7 916 716 7308 +65 3158 0960 +603 2298 7123 +66(0)2624 0641 +84 43267 3630. +62 21235 84628 +852 3750 7835 +82 2 6001-3330 +886 2 8729 2111 +61 1800 983 289 +64 21 536 736 +55 11 2655-7370 +52 55 9171-1375 +56 2 2368-4581 +57 1 383-2387